質(zhì)子交換膜(PEM)電解水技術(shù)因其高效率、快速響應(yīng)和綠色環(huán)保等優(yōu)勢(shì),成為可再生能源制氫的核心手段之一。然而,PEM電解池內(nèi)部的復(fù)雜電化學(xué)過程(如電荷轉(zhuǎn)移、傳質(zhì)和歐姆損耗)會(huì)顯著影響其性能。電化學(xué)交流阻抗譜(EIS)作為一種非破壞性、高分辨率的測(cè)試技術(shù),能夠解析這些過程的動(dòng)力學(xué)特性,為優(yōu)化電解池設(shè)計(jì)和操作條件提供關(guān)鍵依據(jù)。
EIS通過施加小幅正弦交流電壓(或電流)擾動(dòng)(通常頻率范圍0.1 Hz–100 kHz),測(cè)量系統(tǒng)的阻抗響應(yīng)。通過分析阻抗譜的實(shí)部與虛部(Nyquist圖或Bode圖),可分離不同時(shí)間尺度的電化學(xué)過程:
高頻區(qū):反映歐姆阻抗(電解質(zhì)/接觸電阻);
中頻區(qū):表征電荷轉(zhuǎn)移阻抗(電化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué));
低頻區(qū):體現(xiàn)傳質(zhì)阻抗(氫氣/氧氣擴(kuò)散或氣泡阻塞效應(yīng))。
PEM電解池的歐姆阻抗(包括膜電阻、電極與雙極板接觸電阻)直接影響能量效率。EIS高頻截距可精確測(cè)定總歐姆電阻,指導(dǎo)以下優(yōu)化:
膜厚度的選擇(如Nafion系列);
電極與流場(chǎng)的接觸壓力設(shè)計(jì);
運(yùn)行溫度(通過Arrhenius關(guān)系優(yōu)化質(zhì)子傳導(dǎo)率)。
中頻區(qū)的半圓特征對(duì)應(yīng)析氫反應(yīng)(HER)和析氧反應(yīng)(OER)的活化阻抗。通過擬合等效電路(如Randles模型),可獲取:
交換電流密度(j?):評(píng)估催化劑本征活性;
雙電層電容(C??):反映電極有效表面積;
反應(yīng)機(jī)理:區(qū)分速率控制步驟(如Tafel斜率分析)。
低頻阻抗與反應(yīng)物/產(chǎn)物的傳質(zhì)相關(guān),尤其在高壓或高電流密度下:
氣泡阻塞效應(yīng):低頻斜率的改變可量化氣泡在電極表面的滯留影響;
質(zhì)子遷移限制:低頻容抗可能揭示膜脫水導(dǎo)致的質(zhì)子傳導(dǎo)率下降。
EIS可動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)PEM電解池的衰減機(jī)制:
膜降解:高頻歐姆阻抗上升提示膜化學(xué)老化或機(jī)械損傷;
催化劑失活:中頻弧增大可能因IrO?溶解或Pt燒結(jié);
界面腐蝕:新出現(xiàn)的阻抗弧暗示雙極板鈍化層形成。
與傳統(tǒng)極化曲線相比:EIS能分離歐姆/活化/傳質(zhì)損耗,而極化曲線僅提供總過電位;
與暫態(tài)技術(shù)相比:EIS的頻率分辨能力可同時(shí)捕捉快(電荷轉(zhuǎn)移)和慢(傳質(zhì))過程;
無損特性:適合長期穩(wěn)定性測(cè)試,避免頻繁中斷實(shí)驗(yàn)。
催化劑優(yōu)化:通過EIS比較IrO?與摻雜催化劑的電荷轉(zhuǎn)移阻抗,驗(yàn)證Mn摻雜降低OER過電位的效果;
膜電極組件(MEA)設(shè)計(jì):低頻阻抗差異揭示薄化電極減少傳質(zhì)損耗的機(jī)制;
動(dòng)態(tài)工況測(cè)試:EIS捕捉啟停循環(huán)中氣泡滯留導(dǎo)致的瞬時(shí)傳質(zhì)惡化。
高頻限制:>100 kHz測(cè)試需消除電纜電感干擾;
數(shù)據(jù)擬合歧義:需結(jié)合DRT(弛豫時(shí)間分布)等數(shù)學(xué)方法減少等效電路多解性;
原位耦合技術(shù):聯(lián)用拉曼光譜或X射線成像實(shí)現(xiàn)多尺度表征。
EIS是PEM電解水研究中不可替代的工具,其多過程分辨能力為材料開發(fā)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工況優(yōu)化提供了深層機(jī)理認(rèn)知。隨著阻抗解析算法的進(jìn)步(如機(jī)器學(xué)習(xí)輔助擬合),EIS將繼續(xù)推動(dòng)PEM電解技術(shù)向高效率、長壽命方向發(fā)展。
參考文獻(xiàn)示例
[1] O. Schmidt et al., J. Power Sources (2017)
[2] Y. Bultel et al., Electrochim. Acta (2005)